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13N10

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Art.Nr.:

FQP13N10


Mosfet Transistor FQP13N10 für diverse Geräte

Bezeichnung   FQP13N10
Hersteller   nach Verfügbarkeit
Typ   N-MOSFET
Gehäuseform nach   TO220
     
Leistung   65 W
     
Drain-Source Spannung   100 V
Drainstrom   9.05 A
Gate-Source Spannung   + 25 V
     
Liefermenge   1 Stück
13N10 Datenblatt
(754.32 KB)
Stabo xm 3008e

Stabo xm 3008e

DIN 7985: M3x6, geschwärzt

DIN 7985: M3x6, geschwärzt

DIN 7985: M3x6, verzinkt

DIN 7985: M3x6, verzinkt

FM Erweiterung

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